Ogłoszenie

Collapse
No announcement yet.

Jak sprawdzić tranzystory MOSFET ?

Collapse
X
 
  • Filtr
  • Czas
  • Pokaż
Clear All
new posts

    Jak sprawdzić tranzystory MOSFET ?

    trany np:
    IRFP240 czy 2SJ201.
    Jak sprawdzić czy działają, nie maja zwarcia, przebicia itp.
    Świetnie przydał by się schemat do jakiegoś kitu.

    #2
    El_liero, sory że to napiszę ale w internecie jest masa tego typu artykułów. Przyznaj się że nie szukałeś. Moim zdaniem do kosza.

    Skomentuj


      #3
      Szczerze?

      Szukałem. Ba, znalazłem. Tylko, że nie widzę nic w tym złego, że ktoś jest żądny większej wiedzy. Może ktoś ma jeszcze inne sposoby niż te co znalazłem.

      Skomentuj


        #4
        A jakie znalazles? POkaz mzoe swoej schematy ujladow pomairowych, metody jakie znasz, stosujesz i rozumiesz a wtedy ew. ktos wyjasni reszte watpliwosci...

        Skomentuj


          #5
          Pół elektrody przeszukałem, tam jedna osoba pisze o podłączeniu potencjometru do FETu i wtedy można sprawdzić czy działa. Czy jest to 100% pewność działanie tranzystora? Bo jak na początku sprawdzałem według innych metod, uzywając diodomierza, to jeden z tranów był padnięty, a po podłączeniu go do tego potencjometra i diody działało wszystko...

          Oczywiście że TOP222Y jest uszkodzony. Mosfetów nie da się w prosty sposób sprawdzić miernikiem. Rezystancje dobrego mosfeta będą bardzo duże. Najlepiej zrobić prosty układ. Podpinamy małą żaróweczkę od latarki pod Dren i +3...4,5V (jakaś bateria lub zasilacz). Natomiast Source i dren spinamy potencjometrem np: 100KΩ przy czym "ślizgacz" potencjometra podłączamy do Gate. Oczywiście minus zasilania od Source i oczywiście dotyczy to NMOS. Dla PMOS odwrotnie. Jeśli podczas ruchu potencjometra żaróweczka zozjaśnia i przygasa to znaczy że mosfet jest dobry. I jeszcze jedno. Mosfetów nie wolno podłączać do napięcia z odłączoną Gate (bramką)!!! W takim przypadku gdy ją dotkniesz uszkodzisz Mosfeta.

          Na szybko sprawdzam omomierzem:
          mierzę źródło-dren i coś tam pokazuje n.p. 1M
          dotykam omomierzem bramka-dren
          powtórnie mierzę źródło-dren i pokazuje n.p. 100Ohm
          I wiem że jest raczej dobry.

          Zewrzyj wszystkie nózki. Potem podlacz do omomierza D i S - nie powinien wskazywac mierzalnego oporu. Naladuj bramke poprzed chwilowe dotkniecienp dodatnim lub ujemnym biegunem z miernika. Teraz dren - zrodlo powinien wskazywac kilkuomowy opór . Dopóki bramka sie nie rozladuje to nadal tak bedzie. Oczywiscie polaryzacja podlaczenia omomierza zalezy od typu trazystora n czy p. Zazwyczaj w uszkodzonym tranzystorze D i S sa zwarte niezaleznie od polaryzacji bramki.


          ęJest to sposób, który podpowiedział mi już dawno kolega TONI_2003 i stosuję go z powodzeniem. Metoda wykorzystuje pojemnosc miedzy bramką a źródłem, odnosi się do mosfetów typu N ale po zmianie polaryzacji można sprawdzać też P.


          Cytat:
          Ja to robię na pomiarze diody masz Mosfeta nogi liczę z lewej do prawej , końcówka z miernika + na nogę 3 , minus miernika na 2 nogę masz przeważnie trzy cyfrowa liczbę np. 524 i teraz nie odrywając od mosfeta końcówki (-) czyli od nogi nr.2 , końcówkę miernika (+) na moment dotykasz nogi mosfeta nr.1 ,powracasz tę końcówkę na nogę nr.3 , i w tym momencie miernik pokazuje Ci zwarcie lub połowę wartości oczywiście mniej więcej połowę i wartość ta z reguły w zrasta po chwili do poziomu początkowego na niektórych nie wzrasta tylko stoi w miejscu. Teraz wystarczy by końcówkę miernika (-) przenieść na moment na nogę nr.1 i zpowrotem na nogę 2 i już masz wartość początkową czyli np.524. Może jest to dość zawile napisane ale inaczej już nie umiem . Najważniejsze jest to że jeśli tak się zachowuje Mosfet jest on na pewno dobry .Pozdrawiam Cię i myślę że to zrozumiałeś
          postępuj tak jak napisałem kilka razy aż załapiesz sens tych pomiarów i to bez wnikania czemu tak jest.
          Jeśli się poda na bramkę potencjał dodatni (końcówkami miernika - omomierz, m. półprzewodników) to tranzystor praez jakiś czas to "zapamiętuje" i między źródłem a drenem jest zwarcie, jeśli się bramkę "rozładuje" źródło dren stanowi przerwę.
          ... z poważaniem Janusz T.


          Dodano po 2 [minuty]:


          żarówka rtęciowa napisał:
          Trzeba podłączyć do bramki źródło regulowanego napięcia stałego i mierzyć prąd drenu.





          ęDo pomiaru MOSFETów używam miernika cyfrowego z badniem złącza diody.
          I robię to tak - MOSy z kanałem typu N:
          - minus do D, plus do S - spadek napięcia na złączu ok. 450mV - choć w zależności od typu może być od ok. 350 do 550 mV
          - minus do S, plus do D - brak spadku napięcia
          - przejścia pomiedzy G-S, G-D - bez względu na polaryzację wyprowadzeń zawsze brak spadku, ale podając plus na G i minus na S powoduje to wysterowanie D-S i spadek na nim napięcia do ok. 20mV (pierwszy typ sprawdzenia podanego wyżej)
          - zwarcie końcówek G-S powoduje powrót do stanu wyjsciowego.
          Dla MOS typu P wszystkie sprawdzenia jak wyżej ale z odwróconą polaryzacją. Należy pamiętać, że jeśli jest przejście D-S to tylko w jedną stronę! Przy odrobinie wprawy można bez problemu określić sprawność takiego tranzystora. Ja tak robię od bardzo dawna ze 100% skutkiem.


          Następnie bierzemy żaróweczkę na napięcie około 10V i prąd kilkakrotnie mniejszy
          od tego, który może przewodzić ten MOSFET (jak nie ma odpowiedniej, to można
          opornik, taki który przy 10V nie przepuści prądu większego, niż dopuszczalny dla
          danego MOSFET-a, ale wtedy trzeba do niego podłączyć miernik), włączamy ją
          między dren a zasilanie, źródło do drugiego bieguna zasilania (w taką stronę, żeby
          dioda nie przewodziła, i trzymając ręką za jeden z biegunów zasilania (tylko jeden)
          dotykamy do bramki. W zależności od tego, do którego bieguna zasilania dotykamy,
          żarówka powinna się zapalić lub zgasnąć, i ten stan ma się utrzymywać przez jakiś
          czas (minutę, lub więcej) po puszczeniu bramki.

          Jeśli MOSFET przeszedł taki test z wynikiem pozytywnym, to w zasadzie jest dobry.
          Może się jeszcze okazać, że ma jakieś przebicie przy wyższych napięciach, ale tego
          już w prosty sposób się nie sprawdzi.

          Uwaga żeby przy tym badaniu nie przekroczyć parametrów dopuszczalnych:
          - przez zimną żarówkę płynie prąd około 7 razy większy niż nominalny;
          - MOSFET dużej mocy wymaga chłodzenia przy dużym prądzie - dać mniejszy;
          - myślę, że MOSFET-y o dopuszczalnych napięciach poniżej 10V stanowią rzadkość,
          ale na wszelki wypadek należy się upewnić; napięcie mniejsze od 10V może być
          z kolei za niskie dla innych MOSFET-ów.



          w obwodzie napięcia 12V: S do masy, D do żarówki 12V, żarówka do +12V, G do masy -> żarówka nie świeci, G do +12V żarówka świeci.
          a jak fet sie grzeje w rękach typu -N wtym opisie co jest podany
          to co jest zepsuty? typ IRFZ46N(bez podawania napiecia na bramke?) lub
          zarowka swieci tez bez zadnego napiecia na bramce? - ęBramkę musisz podłączyć do masy albo do napięcia +12V (w tym obwodzie). Inaczej nie wiesz jaki potencjał ma bramka względem źródła, więc nie możesz twierdzić, że tranzystor jest zepsuty.
          Tranzystor może się grzać, przecież to wynika z jego parametów. Jak przez nieg płynie prąd 1,75A (żarówka 21W) a rezystancja kanału MOSa to 1om więc wydziela się w nim 3W mocy, itp.


          ęNormalne wyniki dla sprawnego tranzystora N-MOSFET o dużej mocy.

          Tranzystor zawiera w środku diodę (zwykle Shottky) podłączoną anodą do źródła,
          katodą do drenu - jak się podłączy zasilanie odwrotnie, to dioda przewodzi;
          a jak się da na bramkę napięcie dodatnie (względem źródła), to tranzystor przewodzi
          w dowolną stronę, i powinien mieć opór mniejszy, niż typowy omomierz może zmierzyć
          (są dostępne w handlu tanie tranzystory o oporności włączenia 4 miliomy; oporności
          rzędu oma mają tranzystory małej mocy, lub wysokonapięciowe).

          Napięcie włączenia zależy od typu tranzystora, zawsze opór jest tym mniejszy, im
          większe napięcie na bramce, typowe napięcia to: dla tranzystorów LL (logic-levels)
          około 1.5V zaczyna przewodzić, około 4V przewodzi prawie maksymalnie; dla innych
          ponad 2 razy większe - do pełnego przewodzenia potrzeba 8-10V. Przykłady:
          - BUZ11: zaczyna przewodzić między 2.1 a 4V, pełne przewodzenie (45mOm) przy 10V;
          - PSNM004: zaczyna przewodzić między 1 a 2V, <5mOm przy 5V, <4mOm przy 10V.

          Jeszcze jest prosty sposób sprawdzania (tylko MOSFET-ów na prądy minimum 1A)
          przy użyciu baterii płaskiej i żarówki od latarki: źródło do (-), dren przez żarówkę do
          (+), trzymając ręką za (-) i dotykając palcem bramki; żarówka nie powinna świecić;
          teraz dotykamy do (+) i puszczamy (-); żarówka świeci; można przestać dotykać
          bramkę, żarówka będzie świecić lub nie, zależnie od tego, czy ostatnio dotykając
          bramki dotknęliśmy do (+) czy do (-) baterii.
          [ Dodano: 2008-06-03, 12:52 ]
          i moge dodac że te sposoby sprawdzania są do dupy, według nich moje trany są sprawne, po podłączeniu jest całkowite przebicie.

          Skomentuj

          Czaruję...
          X