Oczywiście że TOP222Y jest uszkodzony. Mosfetów nie da się w prosty sposób sprawdzić miernikiem. Rezystancje dobrego mosfeta będą bardzo duże. Najlepiej zrobić prosty układ. Podpinamy małą żaróweczkę od latarki pod Dren i +3...4,5V (jakaś bateria lub zasilacz). Natomiast Source i dren spinamy potencjometrem np: 100KΩ przy czym "ślizgacz" potencjometra podłączamy do Gate. Oczywiście minus zasilania od Source i oczywiście dotyczy to NMOS. Dla PMOS odwrotnie. Jeśli podczas ruchu potencjometra żaróweczka zozjaśnia i przygasa to znaczy że mosfet jest dobry. I jeszcze jedno. Mosfetów nie wolno podłączać do napięcia z odłączoną Gate (bramką)!!! W takim przypadku gdy ją dotkniesz uszkodzisz Mosfeta.
Na szybko sprawdzam omomierzem:
mierzę źródło-dren i coś tam pokazuje n.p. 1M
dotykam omomierzem bramka-dren
powtórnie mierzę źródło-dren i pokazuje n.p. 100Ohm
I wiem że jest raczej dobry.
Zewrzyj wszystkie nózki. Potem podlacz do omomierza D i S - nie powinien wskazywac mierzalnego oporu. Naladuj bramke poprzed chwilowe dotkniecienp dodatnim lub ujemnym biegunem z miernika. Teraz dren - zrodlo powinien wskazywac kilkuomowy opór . Dopóki bramka sie nie rozladuje to nadal tak bedzie. Oczywiscie polaryzacja podlaczenia omomierza zalezy od typu trazystora n czy p. Zazwyczaj w uszkodzonym tranzystorze D i S sa zwarte niezaleznie od polaryzacji bramki.
ęJest to sposób, który podpowiedział mi już dawno kolega TONI_2003 i stosuję go z powodzeniem. Metoda wykorzystuje pojemnosc miedzy bramką a źródłem, odnosi się do mosfetów typu N ale po zmianie polaryzacji można sprawdzać też P.
Cytat:
Ja to robię na pomiarze diody masz Mosfeta nogi liczę z lewej do prawej , końcówka z miernika + na nogę 3 , minus miernika na 2 nogę masz przeważnie trzy cyfrowa liczbę np. 524 i teraz nie odrywając od mosfeta końcówki (-) czyli od nogi nr.2 , końcówkę miernika (+) na moment dotykasz nogi mosfeta nr.1 ,powracasz tę końcówkę na nogę nr.3 , i w tym momencie miernik pokazuje Ci zwarcie lub połowę wartości oczywiście mniej więcej połowę i wartość ta z reguły w zrasta po chwili do poziomu początkowego na niektórych nie wzrasta tylko stoi w miejscu. Teraz wystarczy by końcówkę miernika (-) przenieść na moment na nogę nr.1 i zpowrotem na nogę 2 i już masz wartość początkową czyli np.524. Może jest to dość zawile napisane ale inaczej już nie umiem . Najważniejsze jest to że jeśli tak się zachowuje Mosfet jest on na pewno dobry .Pozdrawiam Cię i myślę że to zrozumiałeś
postępuj tak jak napisałem kilka razy aż załapiesz sens tych pomiarów i to bez wnikania czemu tak jest.
Jeśli się poda na bramkę potencjał dodatni (końcówkami miernika - omomierz, m. półprzewodników) to tranzystor praez jakiś czas to "zapamiętuje" i między źródłem a drenem jest zwarcie, jeśli się bramkę "rozładuje" źródło dren stanowi przerwę.
... z poważaniem Janusz T.
Dodano po 2 [minuty]:
żarówka rtęciowa napisał:
Trzeba podłączyć do bramki źródło regulowanego napięcia stałego i mierzyć prąd drenu.
ęDo pomiaru MOSFETów używam miernika cyfrowego z badniem złącza diody.
I robię to tak - MOSy z kanałem typu N:
- minus do D, plus do S - spadek napięcia na złączu ok. 450mV - choć w zależności od typu może być od ok. 350 do 550 mV
- minus do S, plus do D - brak spadku napięcia
- przejścia pomiedzy G-S, G-D - bez względu na polaryzację wyprowadzeń zawsze brak spadku, ale podając plus na G i minus na S powoduje to wysterowanie D-S i spadek na nim napięcia do ok. 20mV (pierwszy typ sprawdzenia podanego wyżej)
- zwarcie końcówek G-S powoduje powrót do stanu wyjsciowego.
Dla MOS typu P wszystkie sprawdzenia jak wyżej ale z odwróconą polaryzacją. Należy pamiętać, że jeśli jest przejście D-S to tylko w jedną stronę! Przy odrobinie wprawy można bez problemu określić sprawność takiego tranzystora. Ja tak robię od bardzo dawna ze 100% skutkiem.
Następnie bierzemy żaróweczkę na napięcie około 10V i prąd kilkakrotnie mniejszy
od tego, który może przewodzić ten MOSFET (jak nie ma odpowiedniej, to można
opornik, taki który przy 10V nie przepuści prądu większego, niż dopuszczalny dla
danego MOSFET-a, ale wtedy trzeba do niego podłączyć miernik), włączamy ją
między dren a zasilanie, źródło do drugiego bieguna zasilania (w taką stronę, żeby
dioda nie przewodziła, i trzymając ręką za jeden z biegunów zasilania (tylko jeden)
dotykamy do bramki. W zależności od tego, do którego bieguna zasilania dotykamy,
żarówka powinna się zapalić lub zgasnąć, i ten stan ma się utrzymywać przez jakiś
czas (minutę, lub więcej) po puszczeniu bramki.
Jeśli MOSFET przeszedł taki test z wynikiem pozytywnym, to w zasadzie jest dobry.
Może się jeszcze okazać, że ma jakieś przebicie przy wyższych napięciach, ale tego
już w prosty sposób się nie sprawdzi.
Uwaga żeby przy tym badaniu nie przekroczyć parametrów dopuszczalnych:
- przez zimną żarówkę płynie prąd około 7 razy większy niż nominalny;
- MOSFET dużej mocy wymaga chłodzenia przy dużym prądzie - dać mniejszy;
- myślę, że MOSFET-y o dopuszczalnych napięciach poniżej 10V stanowią rzadkość,
ale na wszelki wypadek należy się upewnić; napięcie mniejsze od 10V może być
z kolei za niskie dla innych MOSFET-ów.
w obwodzie napięcia 12V: S do masy, D do żarówki 12V, żarówka do +12V, G do masy -> żarówka nie świeci, G do +12V żarówka świeci.
a jak fet sie grzeje w rękach typu -N wtym opisie co jest podany
to co jest zepsuty? typ IRFZ46N(bez podawania napiecia na bramke?) lub
zarowka swieci tez bez zadnego napiecia na bramce? - ęBramkę musisz podłączyć do masy albo do napięcia +12V (w tym obwodzie). Inaczej nie wiesz jaki potencjał ma bramka względem źródła, więc nie możesz twierdzić, że tranzystor jest zepsuty.
Tranzystor może się grzać, przecież to wynika z jego parametów. Jak przez nieg płynie prąd 1,75A (żarówka 21W) a rezystancja kanału MOSa to 1om więc wydziela się w nim 3W mocy, itp.
ęNormalne wyniki dla sprawnego tranzystora N-MOSFET o dużej mocy.
Tranzystor zawiera w środku diodę (zwykle Shottky) podłączoną anodą do źródła,
katodą do drenu - jak się podłączy zasilanie odwrotnie, to dioda przewodzi;
a jak się da na bramkę napięcie dodatnie (względem źródła), to tranzystor przewodzi
w dowolną stronę, i powinien mieć opór mniejszy, niż typowy omomierz może zmierzyć
(są dostępne w handlu tanie tranzystory o oporności włączenia 4 miliomy; oporności
rzędu oma mają tranzystory małej mocy, lub wysokonapięciowe).
Napięcie włączenia zależy od typu tranzystora, zawsze opór jest tym mniejszy, im
większe napięcie na bramce, typowe napięcia to: dla tranzystorów LL (logic-levels)
około 1.5V zaczyna przewodzić, około 4V przewodzi prawie maksymalnie; dla innych
ponad 2 razy większe - do pełnego przewodzenia potrzeba 8-10V. Przykłady:
- BUZ11: zaczyna przewodzić między 2.1 a 4V, pełne przewodzenie (45mOm) przy 10V;
- PSNM004: zaczyna przewodzić między 1 a 2V, <5mOm przy 5V, <4mOm przy 10V.
Jeszcze jest prosty sposób sprawdzania (tylko MOSFET-ów na prądy minimum 1A)
przy użyciu baterii płaskiej i żarówki od latarki: źródło do (-), dren przez żarówkę do
(+), trzymając ręką za (-) i dotykając palcem bramki; żarówka nie powinna świecić;
teraz dotykamy do (+) i puszczamy (-); żarówka świeci; można przestać dotykać
bramkę, żarówka będzie świecić lub nie, zależnie od tego, czy ostatnio dotykając
bramki dotknęliśmy do (+) czy do (-) baterii.
