Echo1
Kolega raven dlubie w Multisimie, nie che sie przesiasc na LTSpice
Oscylacje mialy czestotliwosc okolo 8,3MHz.
Robilem wiele testow w celach dydaktycznych poniewaz nie jestem elektronikiem z wyksztalcenia i potrzebuje troche praktyki do ogarniecia tematu.
Generalnie to sie zastanawiam teraz jak te wszystkie plytki ''latajace'' po internecie dzialaja. Tak naprawde nie jest latwo zrobic 100% plytke, zawsze trzeba isc gdzies na jakis kompromis.
Generalnie jezeli o mosfety i ich laczenie rownolegle to zaobserwowalem:
- im wieksza ilosc laczonych mosfetow tym lepsza zabawa

- rezystory bramkowe musza miec odpowiednio niska rezystancje zeby dobrze dobrze je przelaczac (przeladowywac pojemnosci), szczegolnie chodzi o pojemnosc bramka-dren bo jest ona suma pojemnosci wszystkich mosfetow (najwieksza wartosc tej pojemnosci wystepuje tuz przed klipem), i co najgorsze wylaczenie tudziesz przeladowanie tych pojemnosci jest ograniczone tylko i wylacznie pradem spoczynkowym wtornika sterujacego (takze im bias wiekszy tym lepiej, ale mozna tez podeprzec sie kondensatorem elektrolitycznym zamontowanym na rezystorze biasujacym driver). Jezeli chodzi o pojemnosc bramka zrodlo to nie ma biedy bo jezeli polaczymy kilka mosfetow rownolegle to transkonduktancja takiego stopnia bedzie wieksza a co za tym idzie wzmocnienie napieciowe bedzie blizsze 1 a co za tym idzie napiecie bramka-zrodlo (pojemnosc bramka zrodlo) bedzie sie tez mniej zmieniac zatem efektywna pojemnosc tych zlacz nie bedzie sie znacznie roznic od pojedynczego tranzystora. Suma sumarum latwiej to dziadostwo wlaczyc niz wylaczyc (jak zerkniecie na moje slajdy to zauwazycie duze piki na railu zasilania --> przyczyna --> zbyt wolno wylanczany gorny mosfet byl ciagniety przez dolny mosfet, obydwa przewodzily jednoczesnie - no i byba gotowa
- rezystory bramkowe musza miec odpowiednio wysoka wartosc zeby tlumic oscylacje, z tego co zauwazylem to wartosc ich tez jest zalezna od impedancji samego drivera, jezeli bedzie ona dosyc niska to mozemy tez zjechac troche z wartoscia rezystorow bramkowych i zyskac nieco na predkosci
- jezeli sterujemy mosfetami z wtornika emiterowego BJT warto wsadzic pomiedzy emitery kondensator elektrolityczny - ladnie zmniejsza on impedancje samego drivera (mozna nieco obnizyc prad spoczynkowy w stopniu sterujacym)
- odsprzeganie kazdego drenu jest wrecz koniecznoscia (wtornik zrodlowy) i to nie na samej sciezce zasilajacej (bo plynie nia prad sumaryczny z tranzystorow wyjsciowych) tylko bezposrednio z samej ''nogi'' tranzystora
- spowalnianie stopnia sterujacego kompensacja Millera pogarsza tylko sprawe (w moim przypadku),
Jak by sie tak trzymac powyzszych zasad to jest duza szansa ze wzmacniacz na wielu mosfetach nie wyleci w powietrze
N-mosfeta narazie nie chce mi sie robic.