• Witamy w największym polskim serwisie internetowym poświęconym w całości zagadnieniom samodzielnej budowy nagłośnienia.
    Dzięki DIYaudio.pl poznasz zagadnienia samodzielnej budowy nagłośnienia od podszewki oraz będziesz mógł dyskutować o DIY audio do woli.

    Artykuły z dawnego portalu zostały przeniesione do sekcji forum na samym dole.

Zbig MOSFET 3.0 - SyMOS

  • Autor wątku Autor wątku Zbig
  • Data rozpoczęcia Data rozpoczęcia
Kurcze zeżarło mi post. Grrrrrrrrr.

---------- Post dodany o 11:26 ---------- Poprzedni post o 11:19 ----------

Tak czy inaczej kilka woltów się zbierze.
Kilka się zbierze :)

tylko zmniejszyć oporności w źródłach MOSFET-ów

W moim potworze jest 5 par FET-ów + 0.33om ma pracować przy 3-4omach i zastanawiam się czy nie zwiększyć rezystorów źródłowych bo rozpływ prądu nie jest najlepszy mimo, że tranzystory są z jednej serii.

Jak dobrze liczę to średnia moc na rezystorach źródłowych przy 2om 500W i czterech parach będzie koło 2.5W więc jeszcze OK dla 5w drutowców :)


Warto zwiększyć też pojemność wejściową do 2.2uF
i C9
 
Nie mam niestety warunków, żeby przetestować wersję SUB dla 2 Ohm i dużych mocy.
a ja mam odpowiedni zasilacz i kilka glosnikow ;)
w domu raczej tego nie potestuje (litosc nad sasiadami) ale chlopaki w garazu beda zachwyceni mogac katowac moje glosniki :p

ale konkrety - kase moge przelac albo teraz na wyplate, albo za miesiac. kiedy bardziej realne?
 

Słusznie, temu też nie zaszkodzi tak ze 100uF, w końcu to sub.
Masz racje, dla 4 par to 2,5W/opornik, da się przeżyć.
Policzyłem jeszcze raz układ przeciwzwarciowy. Przy 3 i 4 parach w sumie nie trzeba go będzie ruszać,
Zadziała przy obciążeniu 0,9 Ohma przy 4 parach i gdzieś przy 1,1 Ohma dla 3 par. Dla dwóch może być już blisko 1,4 Ohma
W sumie dla normalnego wzmacniacza można go byłoby nawet ustawić wyżej dając R31/R32 na 20k


Pawel, ja nie składam swoich wzmacniaczy, wiec albo złożysz sam, albo ktoś na forum się tego podejmie.
 
a osiagi samochodu mierzy sie na hamowni
Używa się jednak na drodze :) ale już po testach ;)


Słusznie, temu też nie zaszkodzi tak ze 100uF, w końcu to sub.
Da się skompensować wpływ tego kondensatora ale wymaga dodatkowych 2 elementów:
18409952.png
 
A może po poprawkach dać do zakładu zrobić pcb?
Przyglądam się od jakiegoś czasu tym końcóweczkom, i z ciekawości bym złożył układ na mosfetach, nie taki duży koszt.
 
mają podwójny układ bootstrap zmniejszający napięcie nasycenia stopnia końcowego
Tak Zbigu może nieco jasniej dla tych co nierozumieją (ja do nich się zaliczam),łopatologicznie.Na pewno wszystkim się przyda i nie będzie to dialog między Toba a Rawen 1985 a szerszym gronem;)Szczerze pisząc jestem nieco zaskoczony,myslałem ,że juz w tym kierunku nie będziesz działał
 
O ile dobrze pamiętam, bootstrap pozwala na chwilowe podniesienie napięcia na bramkach powyżej napięcia zasilania co pozwala na pełne otwarcie tranzystorów MOSFET. A podwójny to znaczy chyba, że podbija symetrycznie obie połówki.
Zbig napisał:
Teraz kolej na układ bootstrap, do tego podwójny. Przypomnieć co to jest układ bootstrap? W dwóch słowach, żeby jakoś zacząc: układ bootstrap to taki kondensator wpięty miedzy wyjście wzmacniacza a oporniki w obwodzie kolektora układu sterujacego. Ma dwa zadania:
-zwiekszyć wzmocnienie stopnia sterujcego (opornik w kolektorze staje sie praktycznie źródłem pradowym), oraz zwiekszyc maksymalne napiecie wyjsciowe wzmacniacza (czyli zmniejszyć napięcie "nasycenia").
 
Nie na temat...
dzwiedziu i co powiesz o p4100? warta grzechu zabawka? i co skłoniło Cie do przesiadki na p5000?
 
Ostatnią edycję dokonał moderator:
Nie na temat...
Co do jakości brzmienia i kontroli nad napędzanymi kolumnami to rewelacyjnie się spisuje.
Naljepsza "zabawka" jaką dotychczas miałem.
Nieumię tak pisać o dźwięku jak inni, ale wart uwagi jest.
Bazując na opiniach Grzesia o p-5000 z as (a znam go osobiście) chcę go złożyć już do końca jako docelowy na długi okres czasu.
Bo w p-7100 nie ma się co pchać do domu.
Mój obecny powędruje do kolegi z tego forum, który ma obecnie klona e-307 więc on może bardziej poetycko się wypowiedzieć co do jakości brzmienia.
A coś na mosfetach już dawno chodziło mi po głowie.
Coś taniego i dobrego, a Zbiga są chwalone.
Jak chcesz więcej info to dawaj na gg.
Sorry chłopaki za offtop.


Jest tag offtopic :)
Brzydki ale jest i proszę używać :)

r.
 
Ostatnią edycję dokonał moderator:
Zbigu nie podobało mi się włączenie kondensatorów C12 i C13 w zabezpieczeniu.
Powodują one obniżenie progu zadziałania zab. dla wyższych częstotliwości audio na obciążeniach "kolumnowych" .
Na symulacjach zabezpieczenie załącza się dużo wcześniej niż powinno. Wprawdzie ciężko w praktyce oczekiwać 100W na 10kHz niemniej ciężko przewidzieć jaka będzie impedancja kolumn podłączonych do wzmacniacza i te progi mogą być niższe.
scan57.jpg

http://www.stereophile.com/reference/60/index.html

(ogólnie to spora wada zabezpieczania z "podcięciem" i po próbach praktycznych uważam stosownie go w tej postaci w układach audio za nietrafiony pomysł aczkolwiek wysoce skuteczny )
Rezygnacja z diod w kolektorach to też tylko pozorna oszczędność. "Prąd zerowy" q9/10 będzie znacznie bez nich większy, nieliniowy i będzie stanowił dodatkowe - w tym wypadku być może bez większego znaczenia - obciążenie stopnia napięciowego.
Łatwiej też przy ich obecności podłączyć układ odcinający głośniki po wykryciu zwarcia.
Proponuje:
- przywrócenie tych diod.
- podłączanie C12 i C13 między bazę i emiter q9/10

Co o tym myślisz ?
 
Ostatnia edycja:
Typowy przebieg gęstości mocy ( a i porównanie faktycznej mocy wysokotonówki z mocą niskotonowki w dowolnej kolumnie) sugerują pozostawienie tych kondensatorów, ale nie upieram się i po prostu można ich nie montować. Te kondensatory pomagaja też w przypadku stricte pojemnościowego obciążenia - przy tak wysokim SR na wyjściu przez taki kondensator 1uF może popłynąć w impulsie kilkadziesiąt Amperów i jeśli układ nie zadziała szybko, mogą polecieć tranzystory mocy. Dlatego też nie opóźniałbym reakcji układu pojemnościami baza-emiter.
Co do diod, to opisywałem chyba przy MOSFET1, że dla wyjść tranzystorowych one zabezpieczają przed "przepolaryzowaniem" E-C i przewodzeniem "pasożytniczym". Dla MOSFET-a takie zjawisko nie zajdzie, bo dużo większe jest napięcie Ugs wstępnej polaryzacji. Na prąd zerowy tranzystorów zabezpieczających praktycznie wpływają minimalnie (tez z racji stosunkowo wysokiego Veb).
 
Typowy przebieg gęstości mocy
Pewnie masz rację :) Spróbuje oszacować najgorszy przypadek jak będę miał chwile czasu nie jest to jednak łatwe.

przy tak wysokim SR na wyjściu
Ale w normalnej pracy nie ma szans na takie SR. Możliwe jest to tylko na teście na prostokącie i to bez C15 który SR ograniczy a tym samym prąd na obciążeniu pojemnościowym, które w ilości mogącej powodować takie problemy w "naturze" raczej nie wystąpi.

polecieć tranzystory mocy
Ryzyko długotrwałego narażanie tranzystorów wyjściowych na takie warunki pracy jest również niewielkie :)

Na prąd zerowy
Rzeczywiście u Ciebie będzie to miało minimalny wpływ tak czy inaczej.
Łatwiej jednak jak wspomniałem podłączyć dodatkowy układ odłączający obciążenie po zadziałaniu ogranicznika co daje dodatkowy margines bezpieczeństwa.
 
Najlepiej rzeczywiscie ograniczać elektronicznie (natychmiastowa reakcja) ale odłączać obciążenie przekaźnikiem (milisekundowe opóźnienie). To zabezpiecza przed różnymi możliwymi i niemożliwymi :-) sytuacjami na wyjściu.
Może warto dać miejsce na złącze do podłączenia zewnętrznego układu? (w poprzednich projektach cały układ zabezpieczeń był właśnie osobną płytką na złączu)
 
Powrót
Góra