MOSFET by Zbig 2.0

[Zbig]

Wzmacniacz MOSFET opisany w innym wątku cieszył się sporym powodzeniem, ale pomimo dobrych parametrów akustycznych pozostał pewien niedosyt, związany z niezbyt dużą mocą wzmacniacza.
Wprawdzie część ograniczeń konstrukcyjnych udało mi się dosyć prosto wyeliminować i tym samym zwiększyć prawie dwukrotnie jego moc wyjściową (z początkowych 60W do 110W przy zasilaniu 50V i obciążeniu 8 Ohm), ale zastosowane tranzystory mocy w małych obudowach wyznaczają już praktycznie granicę tego wzmacniacza.
Konieczne więc było dokonanie kolejnych modyfikacji, aby z jednej strony zmniejszyć minimalne obciążenie do 4 Ohm (a w praktyce ok 3 Ohm do bezproblemowego "napędzenia" bardziej wymagających kolumn), a z drugiej strony dalszego zwiększenia mocy wyjściowej do conajmniej 200W przy 2 parach tranzystorów wyjściowych, oraz do 400W przy 4 parach. Oczywiście z tym wiążą się znacznie wyższe napięcia zasilania, do 60V lub nawet więcej.
W ten sposób narodziła się idea zaprojektowania nowej wersji 2.0 wzmacniacza MOSFET by Zbig.

Zaprojektowałem już nową płytkę, "wyprasowałem" ją i pomału składam na niej wzmacniacz.
Z istotnych modyfikacji mamy na niej:
- układ przystosowany do zasilania w zakresie +/- 35V...60V lub po drobnych modyfikacjach elementów (z uwagi na napięcia i moce) nawet do +/-80V.
- Płytka przystosowana pod dwie pary tranzystorów mocy w dużych obudowach TO247, czyli IRFP9240 / IRFP240
- dodane zabezpieczenia bramek MOSFET-ów
- więcej miejsca na oporniki mocy
- dodany układ Zobla
- tranzystory sterujące ułożone w rzędzie i zrobione miejsce na radiator dla nich
- zachowany rozstaw złączy dla płytki zabezpieczeń
Do napięcia 60V w zasadzie wystarczą tranzystory na wejściu typu BC546, powyżej tego konieczne są już wysokonapięciowe 2SC2240, dedykowane zresztą do sprzętu audio, więc zalecam je też dla niższych napięć.
Obydwa typy tranzystorów różnią się kolejnością wyprowadzeń, ale płytka przystosowana jest do tego i nie trzeba ekwilibrystycznie wyginać nóżek.


Tak wygląda to obecnie, ale dalszy montaż prototypu niestety jest wstrzymany z powodu braku podzespołów, m.in kondensatorów na 100V (tak, mam ochotę przetestować go powyżej 60V zasilania) i oporników dużej mocy.
Trzeba będzie złożyć zamówienie i kilka dni poczekać.

Oczywiście w dalszej części wątku możecie liczyć na oscylogramy z pracy układu, pomiary parametrów, schemat oraz wzór płytki. Pewnie trzeba będzie docelowo powiększyć trochę płytkę, bo już widzę, ze z opornikami mocy może być ciasno. Ale zobaczymy w praniu.

[wojak737]

Może być ciekawa alternatywa dla n-mosfeta irka. Zbigu jaki jest przybliżony koszt wykonania tego wzmacniacza powiedzmy w mocniejszej wersji?

[sebxx4]

Na pewno wyjdzie drożej niż n-mosfet bo do tej samej mocy potrzeba 2x więcej mosfetów (a IRFP9250 są droższe od IRFP250)

[Zbig]

Mosfetów "mocy" potrzeba zasadniczo tyle samo - bo ilość tranzystoów determinuje moc strat na wszystkich tranzystorach wyjściowych(praktycznie równa mocy wyjsciowej), czyli ilość ciepła, jaką bezpiecznie można z nich odprowadzić do radiatora i dalej do otoczenia. Ja przyjąłem ok 50W/tranzystor, czyli ypodobnie jak np. w Holtonach.
A więc dla 100W wystarczyłaby jedna para, dla 200W 2 pary, dla 300W trzy i dla 400W 4 pary. W teorii te tranzystory moga odprowadzać znacznie wieksze moce, ale w praktyce radiator musiałby być baaardzo duży, albo użyte chłodzenie aktywne, żeby ostatecznie struktura tranzystora nie miała zbyt wysokiej temperatury.
Co do kosztów, dopiero musiałbym policzyć ceny elementów w jakimś sklepie. Ale nie odbiega on zasadniczo ani ilością ani ceną użytych elementów od innych wzmacniaczy o podobnej mocy.

[wojak737]

Dzięki.
Chyba się skuszę, miałem ochotę robić v1, ale pracuję nad lm4780 i symkiem v2 od flodinsa :) Ale myślę, że do panelu subwooferowego będzie równie dobry jak do stereo.

[Zbig]

Dziś w jednym sklepie pocałowałem klamkę, a w drugim wybór był raczej mizerny. Kondensatory kupiłem tylko na 63V, a zamiast oporników 3W musiałem kupic 5W. Z trudem, ale je wepchnąłem na płytkę, uruchomiłem i przetestowałem na +/-50V. Działa super. Przetestowałem na 4 Ohm i wycisnąłem 220W :-). na sztucznym obciążeniu można było prawie zagotować herbatkę, ale MOSFET-y spokojnie to znosiły - temperatura obudów dochodziła do 80 stopni, przy temperaturze radiatora 50 stopni. Róznica temperatur poszczególnych MOSFET-ów max do 8 stopni - wynika z tolerancji samych MOSFET-ów jak i oporników w źródłach. W takich warunkach prąd spoczynkowy rósł o ok 10mA (z 70mA do 80mA) - czyli bardzo stabilnie. Układ dynamicznego bootstrapu dodawał do stopnia sterujacego ponad 5V w stosunku do zasilania, co w praktyce oznacza, że mój układ oddaje taką moc, jak Holton zasilany o +/-5V większym napięciem (a to oznacza prawie 40W wiekszą moc maksymalną!). Oznacza to również większą sprawność wzmaciacza.
Ostatecznie uznałem że nie warto szaleć z kondensatorami na 100V, bo drogie, trudno dostepne, a i tak przy zasilaniu +/-60V mamy na 8 Ohm moc maksymalną 200W, a przy popularnym trafie 2x40V uzyskamy moc 150W na 8 Ohm. Oczywiście jesli ktos chce poszaleć, to może poeksperymentować nawet do +/-80V .
Jutro wrzuce fotki i pierwsze oscylogramy.

[wojak737]

Zbigu rozumiem, że taką moc osiągnąłeś na dwóch parach tranów. Jaką max. moc można wycisnąć na jednej parze przy 4 i 8 Ohmach?

[Zbig]

Napisałem to 3 posty wyżej: zakładam ok. 100W na każdą parę, bez znaczenia czy na 8 czy na 4 Ohmy. Limitem jest jak pisałem skuteczność odprowadzania ciepła a nie konstrukcja elektryczna wzmacniacza. Taki współczynnik mocy to bezpieczne założenie (w stosunku do maksymalnej mocy strat tranzystorów: 150W/sztukę), ale przy dużych mocach wszystko gra rolę: radiator, podładki, pasta, przepływ powietrza wokół radiatora.
Ludzie pakują mikroskopijne radiatory i dziwią się, że gotuje się na nich woda. U mnie w testowym układzie radiator jest mały (jak dla takich mocy), ale ma wentylator bez którego po kilku minutach wszystko by się ugotowało. IMO aktywne chłodzenie to bardzo dobre rozwiazanie dla dużych mocy.

Limitem zawsze jest temperatura złącza tranzystora. Powinna byc sporo poniżej limitu producenta, bo w wysokiej temperaturze nastepuje stopniowa degradacja struktury półprzewodnikowej.
A więc chcąc policzyć cieplnie układ musimu znac rezystancję termiczną miedzy złaczem o obudową tranzystora, rezystancje cieplną podkladki oraz końcową temperature radiatora.
Rezystancja cieplna podawana jest w watach/stopień i oznacza moc cieplna jaka przepływa przy różnicy temperatur między dwoma "punktami" o 1 stopień
A więc jeśli IRFP9240 ma 1,2W/stopień, to znaczy że przy mocy strat 50W róznica temperatur miedzy strukturą półprzewodnika w metalowa częścią obudowy bedzie wynosić:

dT=50/1,2 = 41 stopnie

do tego dochodzi rezystancja podkładki, przez którą również musi przepłynąc te 50W do radiatora. Dla podkładki mikowej lub marnej silikonowej mamy ok 0,5W/stopień, czyli

dT = 50/0,5 = 100 stopni

razem mamy już 141 stopni w stosunku do radiatora. Czyli radiator musiłby mieć poniżej 10 stopni żeby nie przekroczyć dopuszczalnej dla struktury temperatury 150 stopni :(
Lub z drugiej strony licząc przy temperaturze radiatora np 65 stopni maksymalnie można odprowadzic z jednego tranzystora:
P = (150-65)/(1/1,2+1/0,5) = 30W
jak widac łatwo spalic mocny wzmacniacz stosując badziewne podkładki pod tranzystory.
Czyli koniecznie trzeba stosować dobre podkladki silikonowe z dodatkami ceramiki. które mają powyzej 10W/stopień, wtedy w naszym przykładzie

dT = 50/10 = 5 stopni.
Czyli do radiatora łącznie mamy 46 stopni. W tej sytuacji radiator może mieć nawet 80-90 stopni bez obawy o zniszczenie tranzystorów, lub licząc z drugiej strony dla radiatora 65 stopni

P= (150-65)/(1/1,2+1/10) = 100W na każdy tranzystror

Oczywiscie w obydwu przypadkach zakladam zastosowanie pasty termoprzewodzacej o bardzo dobrej przewodności cieplnej.

---------- Post dodany o 12:23 ---------- Poprzedni post o 11:43 ----------

A jak to wygląda w praktyce?
Oryginalnie zastosowałem podkładki mikowe z zasilacza ATX dużej mocy. Temperatura "odniesienia" obudowy tranzystora to 50 stopni (niepełne wysterowanie wzmacniacza).
Potem wygrzebałem jakies dwie przypdkowe podkladki silikonowe.
Pierwsza ze sklepu, ale bez znanej oporności cieplnej - temperatura obudowy wzrosła o 15 stopni do 65 stopni.
Druga silikonowa z jakiegoś demobilu - temperatura obudowy wzrosła o 20 stopni! Osiągnęła aż 70 stopni.
Dla pełnej mocy róznice w temperaturze byłyby jeszcze większe.
Koniecznie trzeba bedzie kupić jakieś przyzwoite podkładki i porównać.

[zbyszek]

No teraz to wiem ,że to wątek Zbig'a Można dowiedzieć się ciekawych i przydatnych rzeczy.Mnie moce powyżej 100W we wzmacniaczu do słuchania muzyki stereo nie interesują ,ale ta końcówka może doskonale zastąpić obecną (moduł Altrona 200W ) w moim subie.Przyznam,ze nie jestem teraz zadowolony i lepiej sub grał na scalonej końcówce STK ale grało i przestało stąd zastąpił ją mosfet.Może będzie lepiej ,zapewne sprawdzę.Mnie bardziej interesuje słabsza mocowo pierwsza wersja ale jeszcze lepsza jakościowo.

[Zbig]

Jakością dźwięku obydwie wersje są praktycznie takie same, poza lepszym tłumieniem tętnień zasilania (v2 jest pod tym względem lepsza). po prostu wersja druga może pracować w znacznie szerszym zakresie napięć i mocy wyjsciowych. Do stereo zgodzę się, poza "zapasem" przesterowania tak duża moc i mnie nie jest do niczego potrzebna. A do suba jak najbardziej.
Właśnie kończę poprawiać projekt płytki, uwzględniając wieksze oporniki oraz lepsze rozmieszczenie elementów.

a wracajac do odprowadzania ciepła, to ostatnim ogniwem w rachunkach jest sam radiator, o którym najtrudniej cokolwiek się dowiedzieć od producenta. On tez ma swoją rezystancje termiczną do otoczenia.
Znając ją, można byłoby analogicznie obliczyć o ile wzrośnie jego temperatura przy rozpraszaniu określonej mocy. Oczywiscie te obliczenia byłyby obarczone wiekszym błędem, bo ważne byłyby tez np. warunki opływu powietrza (co blokuje przepływ powietrza wokól radiatora - np stół na którym stoi wzmak, obudowa itd), połozenie radiatora (pionowo czy poziomo), a także ile mocy oddawane jest przez konwekcje, a ile przez promieniowanie (tu wazny jest m.in. kolor radiatora) - to wszystko sprawia, ze nie jest to taka stała liczba jak np. dla podkładek.

[Zbig]

No to czas na kilka obiecanych fotek
Zmontowany układ

Te luzem dwa oporniki i czerwony kabelek to zasilanie wentylatora a nie część wzmacniacza :-)
Jak pisałem wcześniej, takiej wielkości radiator pasywny byłby za mały do tej mocy, więc musi być z wentylatorem.

Pomiary temperatury obudów tranzystora termometrem na podczerwień. To nie jest równoznaczne z pomiarem temperatury struktur krzemowych wewnątrz, ale pozwala porównać temperatury i ocenić jakość (skuteczność) podkładek


No i praca układu bootstrap, dynamicznie zwiększającego napięcie zasilania stopnia sterującego.
Dzięki temu "zyskujemy" ok 5V napięcia zasilania, rośnie moc wzmacniacza i jego sprawność

tu jest pokazane działanie dla ujemnej połówki sygnału i minusa zasilania. Skala to 20V/działkę.
Wysterowanie sygnałem muzycznym. Przy okazji widać zachowanie układu przy przesterze.
Zasilanie wzmacniacza to + 28V i -30V (stabilizowane). Układ z obciążeniem 4 Ohmy. Jak widać na wyjściu "odpada" nie więcej niż 3V :-) w stosunku do zasilania

[raven1985]

Może warto wrzucić posty sterownik wentylatora na płytkę ? (np. jako komparator można wykorzystać tl431 a czujnik LM35)

[Zbig]

Na płytce zabezpieczeń można dorzucić sterownik wentylatora, np. reagujący na poziom sygnału wyjściowego (ze stosownym opóźnieniem wyłączenia) lub z czujnikiem temperatury na kabelku.

Musze dokonać pewnego sprostowania co do podkładek termoizolacyjnych. Napisałem o podkładkach o rezystancji poniżej 0,1W/K, ale sam ich nie używałem. Dziś zrobiłem mały tour de France po sklepach i muszę stwierdzić, podkładki o tak małej rezystancji mają dodatki węgla i są również prądoprzewodzace, więc do naszych celów nieprzydatne.
W praktyce dostępne są podkładki mikowe i silikonowe o rezystancjach w zakresie od 1,2K/W do 0,4K/W (o noname nie piszę, bo mogą mieć dowolnie duża rezystancję :-( ), oraz ceramiczne 0,3K/W ale tu cena już gwałtownie rośnie w górę.
A więc w praktyce różnica 4x (lub więcej dla NONAME)
Tym razem zrobię obliczenia dla oporności a nie przewodności (UWAGA: podkładki maja podawany czasem parametr przewodności cieplnej w W/mK - to nie ten parametr!)
Oporność IRFP = 1/1,2W/K = 0,8 K/W

A więc dla 1,2K/W mamy przy 50W
dT = (1,2 + 0,8) * 50 = 100
czyli mamy o 100 stopni wyższą temperaturę struktury tranzystora niż radiatora. Przegrzewamy tranzystory gdy radiator osiągnie powyżej 50 stopni :-(

A dla 0,4K/W
dT = (0,4 + 0,8) * 50 = 60
czyli o 60 stopni wyższą temperaturę tranzystora niż radiatora. Przegrzewamy tranzystory gdy radiator osiągnie powyżej 90 stopni :-)

Uff, trzeba patrzeć co się kupuje...

---------- Post dodany o 12:44 ---------- Poprzedni post o 12:37 ----------

No to przyszedł czas na ujawnienie szczegółów.

Na początek modyfikacje w układzie double bootstrap.
Tak to wygląda obecnie:


Zmiany obejmują zastąpienie dwóch oporników dwiema diodami zenera, oraz zmodyfikowanymi wartościami elementów.

W poprzednim układzie moc wydzielana na opornikach układu bootstrap poważnie ograniczała zakres napięć zasilających. Dlaczego? Prądy płynący przez oporniki szeregowo z kondensatorem musiał być na tyle duży, aby zasilić stopnień sterujacy, oraz dodatkowo uzyskać odpowiednio duży "dodatni" spadek napięcia (powyżej napięcia zasilania) na oporniku szeregowym z zasilaniem. Stąd relatywnie małe wartości tych oporników i spore moce wydzielane. Zastosowanie diody zenera spowodowało, że obecnie prąd płynacy przez opornik R25/R29 zasila już tylko stopień sterujacy, bo gdy napięcie stopnia sterująceo podnosi się powyzej zasilania, to dioda zenera przestaje przwodzić (do czasu osiągniecia jej progu "zenera" - ograniczając tym samym maksymalny wzrost napięcia stopnia sterujacego). Dzięki temu wartość tego opornika to aż 2k, a przy mocy strat 2W można podciągnąć zasilanie nawet do 80V (oczywiście wówczas kondensatory w układzie bootstrap i na zasilaniu muszą być na 80V lub 100V) . Również kondensator w układzie bootstrap jest mniejszej pojemności bez ograniczenia skuteczności układu od dołu (stała R*C nawet się obniża, czyli układ działa od niższej częstotliwości).
Dioda zenera o mocy 0,5W jest aż z zapasem. Jej napięcie to 5,6V lub 6,8V. Zwiększanie tego napięcia dalej nie ma sensu, bo nie wpływa już na parametry wzmacniacza.
UWAGA: dioda zenera jest włączona w kierunku przewodzenia (a nie jak na zenerki przystało w kierunku zaporowym), co w pierwszej chwili może kogoś zdezorientować :-), ale jak wyjaśniłem jest to jak najbardziej zamierzone.
Jeśli chcielibyśmy zasilać wzmacniacz relatywnie niskim napięciem (w okolicach 30V), to zalecałbym zmniejszenie oporników R25/R29 do 1k8 lub nawet 1k5. Kondensator może być w zakresie 33...47uF, większy nie przeszkadza, ale też nic nie poprawia.

Użytkownicy wzmacniacza w wersji 1.0 już pewnie się zorientowali, że wystarczy tylko wymienić 4 elementy, żeby zaaplikować tę modyfikację u siebie, bez żadnych zmian na płytce :-)

Na schemacie są podane tranzystory wysokonapięciowe serii BF, oczywiście można je zastąpić tranzystorami MJE340/MJE350, wyprowadzenia są identyczne. Mój prototyp był testowany na obydwu rodzajach tranzystorów.

No i na koniec wyjaśnienie dlaczego układ ma lepsze tłumienie tętnień zasilania. Ano po prostu przez mniejsze oporności układu bootstrap płyną mniejsze prądy tętnień z zasilania do wyjścia układu. Oczywiście są one tłumione przez niską wartość DF wzmacniacza, ale proporcjonalnie im mniej płynie przez te oporniki, tym niższe napięcie tętnień na wyjściu.

Wkrótce kolejne fragmenty. Kończę również "paczkę" z pełną dokumentacją

---------- Post dodany o 17:15 ---------- Poprzedni post o 12:44 ----------

Druga zmiana dotyczy zasilania stopnia wejściowego. Ponieważ jest to tylko wtórnik, nie musi być zasilany wysokim napięciem jak stopień sterujący.
Zastosowałem tutaj stabilizację na poziomie +4,7V za pomocą diody zenera (w praktyce mogą być zenerki nawet do 10V).


Dzięki temu można zastosować jako pierwszą parę dowolne tranzystory niskonapięciowe (np. BC548 lub BC547 z literką B lub C ). Tylko druga para (różnicowa) musi być już wysokonapieciowa, stosownie do zastosowanego zasilania. Do napięć ok +/-55V wystarczą BC556, a powyżej tego zalecam 2SC2240 - ale uwaga - mają one inaczej wyprowadzenia końcówek. Płytka jest tak zaprojektowana, że bez problemów można zamontować obydwa typy tranzystorów, ale należy zwrócić uwagę na ich ułożenie.
Tranzystory BC546/7/8 montujemy zgodnie z oznaczeniami na płytce, pomijając dodatkowy otwór z boku


Natomiast tranzystory 2SC2240 montujemy obracając tranzystor o 180 stopni i wykorzystując dodatkowy otwór jak na rysunku poniżej:


Tu również można prosto dokonać modyfikacji układu v1.0, albo zmieniając wartość opornika i zastępując kondensator diodą zenera, albo lutując diodę zenera od spodu płytki równolegle do kondensatora.

[zbyszek]

Po przeczytaniu wykładu o podkładkach sprawdziłem jakie mam : 0,8K/W (średnio).Dobrym rozwiązaniem jest umieszczenie radiatora na zewnątrz obudowy oraz w przypadku stosowania wymuszonego chłodzenia dać dwa wentylatory w miejscu mocowania tranzystorów mocy.Dobrze jest też zamiast na radiatorze element termoczuły zabezpieczenia termicznego zamocować bezpośrednio na obudowie trazystora mocy .Czy obniżenie napięcia zasilania pary różnicowej oprócz możliwości stosowania tranów na niższe napięcia daje coś jeszcze?

[Zbig]

Przy niższym napieciu jest też minimum szumów tranzystora (np. dla SC2240 jest to ok 6V - tyle jest akurat przy zenerce 5V6) , ale w tym przypadku ma to mniejsze znaczenie, bo nizszym napięciem zasilane są tylko wtórniki emiterowe, a dla nich szumy i tak są minimalne.

[wojak737]

Jaką można wycisnąć moc przy zasilaniu 35VAC? Nie chodzi mi o jakieś kosmiczne wartości, po prostu chcę zbudować końcówkę do spokojnego słuchania muzy w domku :) Myślę, że Twój projekt będzie najodpowiedniejszy dla mnie. Chodzi mi tu o zakres 60-100 Wat.

A i jeszcze takie pytanie poza tematem, mam wzmacniacz w klasie A, jest to eltron 100u. Czy wzmacniacz taki pobiera z gniazdka maksymalną moc, czyli ok 300 WAT przy cichym słuchaniu, czy tylko jej ułamek? Czy w klasie AB też jest możliwe takie zjawisko (przy cichym słuchaniu)?

[Zbig]

Wzmacniacz w klasie A pobiera zawsze taką samą moc - czyli 300W zawsze :-(.
Wzmacniacze w klasie B pobierają moc mniej więcej proporcjonalnie do głośności. Mój wzmacniacz pobiera "bez głosu" w granicach 6W. Sprawność przekracza 50%,
więc przy 100W na wyjściu pobierze niecałe 200W z gniazdka.
Przy 35V AC (zmiennego) masz spoko 100W na 8 Ohm i 200W przy 4 Ohm.

Poniżej link do ZIP-a z pełną dokumentacją wzmacniacza. Gdyby czegoś brakowało, dajcie znać, to uzupełnię.

http://www.bigaj.com.pl/Ampli/2/ZbigMOSFET2all.zip

[wojak737]

Czyli już wiem czemu mam wysokie rachunki za prąd :/
Dzięki za dokumentację, chyba nic nie brakuje.
Jeszcze jedno lepiej zastosować jedną parę tranów, czy dwie? Oczywiście nie chodzi mi tutaj o moc - 100W wystarcza do głośnego słuchania nawet na podwórku :)

[ololuki]

Czy dioda Zenera D3 nie powinna być zamontowana w odwrotnym kierunku, żeby zachować symetrię układu bootstrap? W obecnym układzie napięcie za tą diodą będzie niższe od ujemnego napięcia zasilania tylko o 0,7V (spadek napięcia na diodzie zenera w kierunku przewodzenia).

[Zbig]

Do 100W spokojnie wystarczy jedna para. Zwróć tylko uwagę, z której pary wychodzi sygnał do złącza układu zabezpieczeń! czyli montujesz tranzystory Q3 oraz U$2 (chyba powinienem poprawić te oznaczenia :-( )

Rzeczywiście! D3 jest odwrotnie! Dziękuję za uwagę.
Nowy plik z poprawkami jest już wrzucony (pod tą samą nazwa - gdyby przeglądarka uparcie pokazywała nadal stary trzeba wyczyścić pamięć podręczną).

---------- Post dodany o 21:49 ---------- Poprzedni post o 20:26 ----------

Kontynuując temat zmian, trzeba dodać, że w wersji 2.0 uległy zmianie niektóre wartości elementów.
Pierwsza zmiana to większe oporności w emiterach pierwszego stopnia. Teraz pracują one z prądem ok 200uA. Zmniejszeniu uległy również oporniki w bazach: do masy i w sprzężeniu zwrotnym. Dzięki tym zmianom zmniejszyły się prądy bazy i tym samym spadki napięcia na opornikach w bazach. Skutkuje to również mniejszym stałym napięciem na wyjściu wzmacniacza, wynikającym zasadniczo z różnic prądów bazy (a te wynikają z różnicy wzmocnień tranzystorów).

Kolejny temat, to zabezpieczenia bramek. Ja zastosowałem dwie zwykłe diody. Zazwyczaj stosuje się po dwie diody zenera podłączone szeregowo, ale w przeciwnych kierunkach, żeby zabezpieczały bramkę na "+" i na "-" a ja tu pakuję zwykłą diodę i ma to zadziałać? Trzeba będzie się z tego wytłumaczyć :-) Ale to już może w kolejnym poście.